FDSOI技术特点与光刻技术需求
2024-07-261. FDSOI技术特点 FDSOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)技术是一种先进的半导体制造技术,具有以下几个特点。 2. 优势一:低功耗 FDSOI技术可以实现更低的功耗。其特殊的结构使得电流在绝缘层下方流动,减少了电流泄露,从而降低了功耗。相比于传统的Bulk CMOS技术,FDSOI技术在相同工作频率下,功耗可以降低50%以上。 3. 优势二:高性能 FDSOI技术具有更好的性能表现。由于绝缘层的存在,FDSOI器件可以实现更小的电流驱动电压,